RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
66
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
1877
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link