RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
59
66
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,855.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
66
Velocità di lettura, GB/s
4,168.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,855.7
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
680
1877
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link