RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link