RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C9-8GXM 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link