RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link