RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2292
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link