RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
104
En -225% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2292
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link