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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
104
Por volta de -225% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
7.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2292
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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