Comparação RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 26

Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.4 12.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.3 8.0

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2269 2186

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns