Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 26
    Wokół strony 12% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 8.0
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    23 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 12.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2269 left arrow 2186
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania