RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2854
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link