RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2854
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link