RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2854
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link