RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2854
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link