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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
23
26
Velocità di lettura, GB/s
13.4
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2186
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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