RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3430
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link