RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
36
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3430
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link