RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link