RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
17
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link