RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 80
    Около 65% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    14.7 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 80
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 1775

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
модули RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
модули RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
модули RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
модули RAM