RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
6.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1724
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link