RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 26
    Около 8% меньшая задержка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    23.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    19.0 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 23.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 19.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4276

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
модули RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
модули RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
модули RAM
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
модули RAM