RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link