RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
90
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
90
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1743
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link