Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 90
    Wokół strony 71% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    26 left arrow 90
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.8 left arrow 15.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 1743
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania