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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
90
En 71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
90
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1743
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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