RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2049
3411
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link