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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Confronto
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
51
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
22
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2049
3411
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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