RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2049
3411
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link