RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
76
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1887
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link