RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4250
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link