RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905678-058.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link