RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link