RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905678-121.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link