RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9965662-018.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
7.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link