RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3181
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link