RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston KYXC0V-MIH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2365
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link