RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2365
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link