RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link