RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston XRMWRN-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link