RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston XRMWRN-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link