RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link