RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
94
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
5.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
4.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
94
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
5.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
4.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1334
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link