RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
94
Por volta de 70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
5.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
4.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
94
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
5.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
4.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
1334
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link