RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
8.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2206
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link