RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2206
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link