RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link