RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,410.6
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
61
Около -65% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,230.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,410.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
754
2808
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link