RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link