RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link