RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3419
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link