RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3419
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link