RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link